技术资料
- 新闻｜英特尔推出Gaudi 3人工智能芯片，挑战英伟达的领导 ...
- 新闻｜LG Innotek利用先进激光雷达技术进军传感器市场 ...
- 新闻｜日本支持Rapidus发展下一代AI芯片后工序技术
- 新闻｜1000亿美元，微软与OpenAI的“AI超级霸权”野 ...
- 新闻｜英伟达卷疯了：最强AI芯片GB200来了！
- 新闻｜2023年第四季度PC处理器市场：英特尔稳坐龙头，竞争 ...
- 新型低电压吊扇相比传统的交流感应电动机吊扇设计节省了大量能源
- 新闻｜低空经济：未来飞行的蓝海
- 龙年二月二｜瑞气满乾坤
- 三八妇女节｜祝所有女性节日快乐！
- 新闻｜Nvidia首席执行官称赞华为在人工智能芯片领域的竞争 ...
- 科普｜单片机的发展
- 新闻｜Sora强势来袭，你怎么看？
- 开工大吉｜万象启新潮，共赴新征程！
- 大年初一｜宝星微祝您万事兴Loong 好事发生！
MX25L25635FMI-10G旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪记忆体
编辑:宝星微科技 | 发布时间:2020-01-11 10:06 | 浏览次数：324
宝星微科技代理旺宏MX25L25635FMI-10G，深圳常备现货，原装正品，全球最大的序列式快闪记忆体(Serial Flash)生產製造公司旺宏电子(TSE:2337)今日(10/29)宣佈，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪记忆体產品─MX25L25635FMI-10G。它创新的32位元定址技术，利用简单的切换方式，即可让128Mbit记忆体容量提高至256Mbit或更高，并且还提供了能往后相容於既有24位元定址的模式，使得系统工程师及製造商不需重大改动即可大幅地提高原有產品的功能及效能。在產品设计日趋小尺寸化，以及无需增加现有接脚数与考量成本效益等情况下，旺宏电子的256Mbit序列快闪记忆体是高阶网通、数位机上盒及伺服器等应用產品最合适的选择。 
美国调研机构Web-Feet Research总裁Alan Niebel指出：「藉由全球首颗最高容256Mbit序列快闪记忆体產品的推出，旺宏电子再度强化了在序列快闪记忆体市场的领导地位。序列快闪记忆体是一个成长快速的市场，尤其加上256Mbit產品的推出，预估全球產值将从2009年的6.45亿美元，迅速成长至2014年的20.36亿美元。」
既有的序列快闪记忆体位元定址為24位元，但却因此限制了它的容量发展，最高容量只能达到128Mbit。然而，随著市场应用发展日趋多元及复杂，128Mbit的容量已无法满足部份系统程式码或应用端的需求，而市场上现有的技术，却仍无法提出有效的解决方案。
有鑑於此，身為序列快闪记忆体的领导厂商，旺宏电子领先业界，创新突破128Mbit容量的限制。旺宏电子的256Mbit序列快闪记忆体，结合了新的32位元定址技术与既有的24位元定址技术，除了可使容量增大至256Mbit，并且还保留了能与原有產品相容的方便性。这项新记忆体產品，在开机时為既有24位元定址的模式，使用者可视其需求自由选择切换至32位元定址，让系统工程师易於设计使用。
美国TranSwitch 公司「產品应用与客户解决方案」处长Shahin Rohani强调：「目前许多新兴的市场如VoIP网路电话处理器就需要使用高容的序列快闪记忆体，而旺宏电子為全球序列快闪记忆体的领导品牌，更率先推出256Mbit產品，我们很乐意与旺宏电子携手合作。」
旺宏电子256Mbit序列快闪记忆体產品的主要应用市场，是在需大量程式码及资料存储的多功能运用方面，如高阶网通、WiMAX、伺服器、数位机上盒、高阶多功投影机、数位电视等等。另外，像需从快闪记忆体下载大量程式码的可程式逻辑闸阵列FPGA，也是另一个主要应用市场。在不增加现有接脚数及成本考量的情况下，旺宏电子256Mbit高容序列快闪记忆体產品是最合适的选择。
而旺宏电子256Mbit新產品MX25L25635FMI-10G，除了容量提高外，在性能表现方面，更运用了旺宏电子Macronix Serial Multi-I/O (MXSMIOTM)的设计，在原有的封装及接脚设计下，即可选择双I/O或是四个I/O模式，实际提高I/O数，使得读取速度得以提升至两倍或四倍，这种高性能的优势，不仅让256Mbit序列快闪记忆体极為适合程式码及使用者资料存取，更进一步支援XIP (execute-in-place)的需求。
旺宏电子预计於十月推出样品后，於十二月正式量產。相关產品说明请至旺宏电子网站查询：www.macronix.com。
以下為MX25L25635FMI-10G產品之主要功能说明：
MX25L25635FMI-10G功能
● 容量: 256Mbit; 符合Serial Peripheral Interface基本协定架构
● 定址位元: 24-位元模式及32-位元模式
● 抹除单位(具弹性之架构): 4K-byte, 32K-byte,及64K-byte均一单位
● 写入单位: 256-byte(每页), 且具1-byte写入能力
● 工作电压范围 : 2.7-3.6V
● 额外的4K-bit 安全一次性写入区块(Secured OTP)
● 支援通用的序列记忆体介面- DMC(Discoverable Memory Capabilities)
● 符合工业级温度范围
MX25L25635FMI-10G性能表现
●读取性能表现
● 写入性能表现(时间): 256-byte: 1.4mS(典型)
● 抹除性能表现(时间)
─ 4K-byte: 60mS(典型)
─ 32K-byte: 0.5S(典型)
─ 64K-byte: 0.7S(典型)
MX25L25635FMI-10G封装
● 业界 16脚SOIC
● 符合RoHS的无铅封装
MX25L25635FMI-10G应用领域：
